為使工件表面均勻拋光，拋光運動軌跡應能保證工件表面和拋光墊表面上各點經(jīng)歷相同或相近的工作條件�，F(xiàn)有的行星式雙面拋光機中，行星運動不能嚴格地保證工件表面上各點的拋光運動速度絕對相等，也不能保證拋光過程中運動速度恒定不變.為改進拋光運動狀態(tài)，本文在對當前國內(nèi)外硅晶片所用雙面拋光機的運動情況分析研究的纂礎上，提出了新型雙面拋光機的設計方案，該運動方式的拋光機可以保證拋光運動的同一性要求，且使拋光方向循環(huán)漸變，從而獲得更高的表面加工質(zhì)量。

隨著超大規(guī)模集成電路要求的不斷提高.作為集成電路的主要摹片材料硅晶片的加工精度要求也越來越高，如何高效地獲得硅.昆片超平滑無損傷表面已成為超精密雙面拋光加工技術(shù)的研究熱點.超精密雙面拋光精度及效率與很多因素有著直接關(guān)系，但拋光機的運動方式及其運動軌跡對加工精度起著決定性的作用。

常用雙面拋光機的運動方式分析
目前國內(nèi)外常用載體作行星運動的硅片雙面拋光方式如圖1所示，上下拋光盤旋轉(zhuǎn)為主運動，硅片由載體(即行星輪)帶動作即自轉(zhuǎn)又公轉(zhuǎn)的行星運動為進給運動.根據(jù)研究資料顯示，行星運動軌跡呈外擺線或內(nèi)擺線，工件能較好地走遍整個拋光盤表面，但這種運動方式存在以下缺點.

1)由于每個載體都是繞自己的軸線回轉(zhuǎn)，載體內(nèi)外緣的圓周速度不同，這使載體內(nèi)外緣的工件不能被均勻的拋光，同時載體通孔內(nèi)的工件也是回轉(zhuǎn)的，工件內(nèi)外緣的圓周速度也不同，即工件表面上各點的拋光運動速度不等.這使同一工件內(nèi)外緣也不能被均勻地拋光。

2)內(nèi)外緣形成不同的相對拋光速度會引起拋光盤的傘狀變形，為加工過程中行星輪轉(zhuǎn)向與表面變形的關(guān)系。如果行星輪轉(zhuǎn)向與拋光盤相同(順向模式)，晶片上表面與上拋光盤外緣相對較低，而與下拋光盤的相對速度較大，因此上拋光墊表面材料去除較少，下拋光墊表而材料去除較多，形成中心凸起的“順向模式”的表面磨損變形，相反則形成“逆向模式”的表面磨損變形。

3)由于載體的齒輪是與中心輪及齒圈相嚙合，在其間形成的磨損屑不僅會沽在載體上而且也會沽在拋光晶片上，這些都直接影響雙面拋光晶片的平面度和表面粗糙度。